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320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器
LD-FPA-320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器
320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器
InGaAs短波焦平面探测器产品应用在近红外成像和光谱技术成像上，包括非制冷型（无TEC）和制冷型（TEC）型。产品应用稳定成熟的工艺，并已实现量产。该产品选用常规封装，便于CCD与CMOS相机集成商的机械设备；集成嵌入式TEC进一步提高了探测器的灵敏度，并通过密闭金属封装来实现其高可靠性。
产品型号
InGaAs面阵探测器的响应波段为900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合，同时采用LCC及Kovar气密封装，且表面镀有抗反射膜。我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。
型号 | FPA-320×256-C | FPA-320×256-K-TE1/TE2 | FPA-320×256-K-2.2-TE2 |
材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs |
响应波段 | 0.9um-1.7um | 0.9um-1.7um | 1.2um-2.2um |
图像分辨率 | 320×256 | 320×256 | 320×256 |
像元尺寸 | 30um | 30um | 30um |
靶面尺寸 | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm |
封装 | 44-pin CLCC | 28-pin MDIP | 28-pin MDIP |
重量 | 1.6g | 24.6g/25.6g | 24.6g |
有效像元率 | >99.5% | >99% | >97% |
暗电流 | <0.4pA | ≤0.4pA | ≤10pA |
量子效率 | ≥70% | ≥70% | ≥70% |
填充率 | ＞99% | ＞99% | ＞99% |
串扰 | ＜1% | ＜1% | / |
探测率 | ≥5×1012J | ≥5×1012J (TE1) ≥7.5×1012J(TE2) | ≥1×1012J |
响应非均匀性 | ≤10% | ≤10% | ≤40% |
非线性(最大偏差) | ≤2% | ≤2% | ≤2% |
最大像素率 | 10MHz | 10MHz | 10MHz |
增益 | High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- | High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- | High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- |
满阱容量 | High:170Ke- Low:3.5Me- | High:170Ke- Low:3.5Me- | High:170Ke- Low:3.5Me- |
TEC 制冷 | 无 | TE1/TE2 | TE1/TE2 |
工作温度 | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ |
储存温度 | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ |
功耗 | 175mw | 175mw** | 175mw** |
